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[場效電晶體] E-MOS原理
by 黃國哲 2022-02-04 17:46:06, Reply(0), Views(173)
VT為臨界電壓,表示E-MOS場效電晶體剛剛形成通道
但要有ID則VGS需要大於VT  (VGS為正電壓),則進入歐姆區
若VGS小於等於VT則為截止區








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