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第一章 半導體的物理特性
by 黃國哲 2020-12-16 08:32:50, Reply(0), Views(986)

1.低溫狀態下類似絕緣物,溫度上升會增加導電性

2.常用材料: 1.矽Si    2.鍺Ge
   化合物: 砷化鎵GaAs   硒化鋅ZnSe

3.半導體分類
(1)本質半導體-半導體內沒有參雜其他元素
(2)外質半導體-參雜了了三價或五價元素的半導體
    加入三價->p型半導體(有電洞為p型雜質)
    加入五價->n型半導體(有電洞為n型雜質)


4.質量作用定律:
熱平衡下,電子和電洞的乘積為一個常數,此數與所施加體或受體雜質的量無關。
 np=ni^2


5.電中性定律:

半導體是電中性,電洞的總濃度和電子的總濃度相同
ND+P=NA+n

NA:游離後的三價受體
ND:游離後的五價施體

游離後的五價「施」體 + P = 游離後的三價「受」體 + n

6.霍爾效應:
帶有電流I的材料,放在橫向的磁場B中,垂直I和B的方向會產生一個電場,稱為霍爾效應。
霍爾效應用來決定半導體的n型或是p型。
若感應電場VH為正,為p型,為負則為n型。


7.其他特殊半導體:
(1)熱阻器
電阻溫度係數為負,當溫度上升電阻下降
(2)敏阻器
溫度上升,導電係數下降
(3)發光二極體
當二極體「順偏」,會釋能發光
(4)光檢二極體
當二極體「逆偏」,被光照射會產生電流
(5)片電阻
使用於積體電路

























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